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一、略规导读2020年末，略规我们曾经盘点了新型电子材料HfO2的发展，这个2011年首次实验上证实具有铁电性的材料，具有重要的基础与应用研究价值，有望成为新型存储器件的原型材料。 从而实现了薄膜的m相占比低至17.9％，布2布战并且具有最高的剩余极化强度(21.4µC•cm-2)。

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